Giá bộ nhớ DRAM sắp tăng mạnh

Trận động đất mạnh 7,3 độ richter ở Đài Loan hôm 3.4 gây ảnh hưởng không nhỏ đến ngành công nghiệp bán dẫn, dẫn đến bộ nhớ DRAM đối mặt việc tăng giá hơn nữa.

Sau trận động đất, Micron nhanh chóng đình chỉ công bố báo giá sản phẩm bộ nhớ DRAM trong quý 2, điều mà cả Hynix và Samsung cũng làm theo. Micron cũng thông báo rằng họ sẽ đánh giá thêm năng lực sản xuất và tình hình cung ứng do trận động đất gây ra, sau đó sẽ thảo luận về tình hình cung ứng với khách hàng.

Những người trong ngành cho biết, sau một trận động đất mạnh như vậy, các nhà máy sản xuất tấm bán dẫn thường sẽ tạm dừng hoặc đình chỉ một số dây chuyền sản xuất của họ, điều này chắc chắn sẽ dẫn đến nguồn cung bị thắt chặt.

Trên thực tế, sau khi duy trì mức giá thấp trong hai năm qua, các nhà sản xuất bộ nhớ DRAM đang cố tình kiểm soát năng lực sản xuất với hy vọng phục hồi giá càng sớm càng tốt. Giờ đây, xu hướng tăng giá trở nên rõ ràng hơn nữa sau trận động đất ở Đài Loan.

Samsung DDR5 DRAM

Báo cáo cho biết, giá chip nhớ DRAM đã tăng tới 20% trong quý 1/2024 và sẽ tăng thêm 3 – 8% trong quý 2. Giờ đây, trận động đất là một “cơ hội” mà các nhà sản xuất không dễ dàng bỏ qua.

Mặt khác, mức tồn kho hiện tại của các nhà sản xuất mô-đun bộ nhớ nhìn chung là thấp. Với năng lực sản xuất hạn chế, họ chắc chắn sẽ tăng chi phí mua sắm. Trong khi đó, các khách hàng như nhà sản xuất máy chủ cũng sẽ nhân cơ hội tích trữ và điều này sẽ càng thúc đẩy giá bán tăng cao.

SK Hynix NAND Flash

Ngoài ra, giá bộ nhớ flash NAND cũng tiếp tục tăng, với mức tăng chung 23 – 28% trong quý đầu tiên năm nay và dự kiến sẽ tăng thêm 13 – 18% trong quý 2.

Đăng ký
Thông báo về
guest

0 Bình luận
Phản hồi theo binh luận
Xem tất cả các bình luận

Tin cùng chuyên mục

TSMC có thể ra chip tiến trình 1,6 nm

TSMC công bố công nghệ sản xuất mới A16, được cho là sẽ giúp tạo chip 1,6 nm và...
0
Rất thích suy nghĩ của bạn, hãy bình luận.x