Micron giới thiệu 3D NAND 176L – đưa dung lượng bộ nhớ lên một mức mới
Tại hội nghị Flash Memory thường niên, Micron đã vừa công bố thế hệ bộ nhớ 3D NAND thứ 5 với số lớp (layer) lên đến 176 lớp (3D NAND 176L). Đây sẽ là dòng 3D NAND thay thế cho 96 lớp được sử dụng phổ biến trên thị trường hiện tại của Micron.
Kể từ khi chia tay với Intel thì Micron đã chuyển sang thiết kế cell nhớ charge-trap hay replacement-gate, thay cho thiết kế floating-gate truyền thống. Trước đó Micron đã áp dụng thiết kế này trên dòng 3D NAND 128 layer nhưng nó đóng vai trò là node chuyển dịch, thử nghiệm công nghệ và tạo nền tảng để phát triển 176L.
Kiến trúc replacement-gate của Micron giúp loại bỏ điện dung giữa các cell và tăng độ bền ghi, đạt hiệu quả điện năng và hiệu năng cao hơn.
Micron vẫn chưa công bố chi tiết về công nghệ NAND 176L, chỉ biết những đế chip đầu tiên dùng công nghệ NAND này có dung lượng 512 Gbit, cấu trúc gồm 2 deck 88 lớp xếp lên nhau. Như vậy Micron đã vượt Samsung về tổng số lượng lớp trên đế chip bởi thế hệ V-NAND thứ 7 vừa công bố của Samsung chỉ có 160 lớp.
Việc chuyển sang thiết kế replacement-gate đã giúp Micron giảm đáng kệ độ dày của mỗi lớp. Chẳng hạn như đế chip 176 lớp có độ dày 45 micron, tương đương độ dày của dòng 3D NAND 64-layer của Micron với thiết kế floating-gate. Một IC 16 đế sẽ dày chưa đến 1,5 mm, phù hợp để sử dụng trên thiết bị di động lẫn thẻ nhớ. Và nhờ công nghệ CMOS under Array (CuA) thì đế chip 176L 512 Gbit của hãng sẽ nhỏ hơn tầm 30% so với các giải pháp tương tự của các hãng khác. Như vậy trên lý thuyết, những thiết bị lưu trữ cỡ nhỏ như ổ M.2 hay chip eMMC tích hợp sẽ có thể đạt dung lượng cao hơn.
Dòng NAND 176L của Micron hỗ trợ tốc độ giao tiếp 1600 MT/s, tăng từ mức 1200 MT/s của thế hệ 96L và 128L. Độ trễ đọc và ghi cũng được cải thiện 35% so với 96L hay 25% so với 128L. Thế hệ 3D NAND 176L này đã bắt đầu được sản xuất hàng loạt và sẽ sớm xuất hiện trên SSD thương mại Crucial.
