Chuyên gia ép xung người Canada, Salty Croissant, vừa thiết lập kỷ lục thế giới mới về tốc độ bộ nhớ RAM DDR5 khi đạt mức 6.510 MHz, tương đương tốc độ 13.020 MT/giây.
Kỷ lục này vượt xa hiệu suất của bất kỳ mô-đun bộ nhớ nào hiện có trên thị trường. Để đạt được thành tích như vậy, Croissant đã sử dụng một thanh RAM DDR5 Corsair Vengeance 24 GB với tốc độ mặc định 7.500 MT/giây. Hệ thống của Croissant được trang bị CPU Intel Core Ultra 7 265K và bo mạch chủ Z890 AORUS Tachyon ICE của Gigabyte, được thiết kế đặc biệt cho khả năng ép xung tối đa.
Trước khi Croissant phá vỡ ngưỡng 13.000 MT/giây, kỷ lục trước đó thuộc về bo mạch chủ Asus ROG Maximus Z890 APEX với tốc độ 12.872,2 MT/giây. Kỷ lục của Gigabyte Z890 AORUS Tachyon ICE trước đó là 12.752 MT/giây, do chuyên gia ép xung HiCookie thiết lập vào tháng 3.
Kỷ lục ép xung RAM đang được ghi nhận
Mặc dù Croissant đã công bố thành tích ấn tượng, kỷ lục của ông vẫn chưa được xác nhận chính thức. Kỷ lục được xác nhận chính thức hiện tại vẫn là 12.920,2 MT/giây.
Ở thời điểm hiện tại, thông tin chi tiết về hệ thống được Croissant sử dụng để thiết lập kỷ lục vẫn chưa được công bố, bao gồm loại tản nhiệt được sử dụng để quản lý nhiệt. Các thiết lập ép xung cực mạnh thường sử dụng nitơ lỏng, vì vậy có thể giả định rằng Croissant cũng đã áp dụng phương pháp này để đẩy bộ nhớ RAM DDR5 đến giới hạn của nó.
Mặc dù kỷ lục mới rất ấn tượng, nhưng nó khó có thể ảnh hưởng đến người dùng PC thông thường. Không có nhà sản xuất nào đặt mục tiêu phát hành các mô-đun bộ nhớ RAM có khả năng đạt tần số cực cao như vậy, do đó, những thành tựu này vẫn chỉ là mục tiêu cho các chuyên gia ép xung và người đam mê công nghệ hướng đến với các hạn chế công nghệ hiện tại.
